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江阴市赛英电子有限公司的专利信息

序号	公布号	发明名称	公布日期	摘要
1	CN105448848A	IGBT内置多台架电极陶瓷封装外壳	2016.03.30	本发明涉及一种IGBT内置式多台架独立电极陶瓷封装外壳，包含有可相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述
2	CN105448849A	可替换内置电极陶瓷封装外壳	2016.03.30	本发明涉及一种可替换内置电极陶瓷外壳，包含有可以相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳
3	CN105448847A	外置式电极陶瓷封装外壳	2016.03.30	本发明涉及一种外置式电极陶瓷封装外壳，包含有可以相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳
4	CN104072146B	一种复合包覆氮化硼基多元纳米复合陶瓷工模具材料及其制备方法	2015.10.14	本发明公开了一种复合包覆氮化硼基多元纳米复合陶瓷工模具材料及其制备方法，该材料按照重量份的原料为：氮
5	CN104442384B	一种具有散热功能的车辆加速踏板控制装置	2015.09.30	一种具有散热功能的车辆加速踏板控制装置，包括：踏板杆（1）以及与其固连的踏板板面（3）、驱动装置、和
6	CN103426829B	大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳	2015.09.30	本发明涉及一种大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳，包含陶瓷管座和管盖，其特征在于所述管盖包含
7	CN103528397B	一种带流速检测和水满检测的热水器热交换系统	2015.09.30	本发明公开了一种带流速检测和水满检测的热水器热交换系统，所述系统包括冷水进水管（5）、热水出水管（6
8	CN103528426B	一种带水质检测的热交换系统	2015.09.30	本发明公开了一种带水质检测的热交换系统，所述系统包括冷水进水管（5）、热水出水管（6）、废水进水管（
9	CN104209606B	一种使用电火花加工装置的加工方法	2015.09.23	一种使用电火花加工装置的加工方法，所述装置包括电火花加工头（10）、升降装置（101）、立柱（102
10	CN103802191B	使用夹紧头限位传感器并能喷涂涂层材料的板材加工方法	2015.09.23	一种使用夹紧头限位传感器并能喷涂涂层材料的板材加工方法，其使用的装置包括底架、左机架和右机架，其中，
11	CN103333411B	一种GPS仪表盘用料	2015.09.23	一种GPS仪表盘用料，其组成成份以质量份数表示法为：PP100；LDPE1-30；丁二烯橡胶1-30
12	CN103485563B	一种带有风向传感器的遥控车位锁	2015.09.23	本发明提供了一种带有风向传感器的遥控车位锁，包括固定安装于地面上的底座（13），所述底座（13）上设
13	CN103542740B	一种带水压检测的热交换系统	2015.09.16	本发明公开了一种带水压检测的热交换系统，所述系统包括冷水进水管（5）、热水出水管（6）、废水进水管（
14	CN103286484B	一种镁合金的MIG焊接方法	2015.09.16	本发明涉及一种镁合金的MIG焊接方法，在钎焊钎料的制备中，先制得钎料混合粉末，再采用镁带包裹粉末，并
15	CN102768999B	大功率整晶圆IGBT封装结构	2014.12.03	本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3
16	CN203423159U	大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳	2014.02.05	本实用新型涉及一种大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳，包含陶瓷管座和管盖，其特征在于所述管盖
17	CN103426829A	大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷整体管壳	2013.12.04	本发明涉及一种大功率陶瓷封装IGBT高效双面制冷管壳，包含陶瓷管座和管盖，其特征在于所述管盖包含有阴
18	CN202749363U	大功率整晶圆IGBT封装结构	2013.02.20	本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖
19	CN202749361U	大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳	2013.02.20	本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和
20	CN102768997A	大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳	2012.11.07	本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖
21	CN102768999A	大功率整晶圆IGBT封装结构	2012.11.07	本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT封装结构，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3
22	CN102194865B	大功率IGBT平板压接式封装结构	2012.10.03	本发明涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯
23	CN202189774U	特大功率晶闸管封装结构	2012.04.11	本实用新型涉及一种特大功率晶闸管封装结构，它包括阴极电极（1）、阴极法兰（2）、阳极法兰（3）、瓷环
24	CN101877332B	新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳	2012.03.28	本发明涉及一种新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳，包含有陶瓷底座和上盖；所述陶瓷底座包含有阴极法兰(1
25	CN202120917U	大功率IGBT平板压接式封装结构	2012.01.18	本实用新型涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGB
26	CN202049936U	防爆型法兰	2011.11.23	本实用新型涉及一种防爆型法兰，它包含法兰本体（1），其特征在于：所述法兰本体（1）的局部区域内凹形成
27	CN202049937U	大功率高真空防爆型陶瓷管壳	2011.11.23	本实用新型涉及一种大功率高真空防爆型陶瓷管壳，它包含有阴极电极（1）、阴极法兰（2）、阳极法兰（4）
28	CN202049938U	IGBT封装用模架盘	2011.11.23	本实用新型涉及一种IGBT封装用模架盘，包含模架盘本体(1)，其特征在于：在所述模架盘本体（1）的下
29	CN102194865A	大功率IGBT平板压接式封装结构	2011.09.21	本发明涉及一种大功率IGBT平板压接式封装结构，其特征在于：管芯包含塑料模架盘（2-1）、IGBT芯
30	CN201741680U	新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳	2011.02.09	本实用新型涉及一种新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳，包含有陶瓷底座和上盖；所述陶瓷底座包含有阴极法兰
31	CN201725786U	平板反置式陶瓷外壳	2011.01.26	本实用新型涉及一种平板反置式陶瓷外壳，包含有陶瓷底座和上盖，所述上盖盖置于陶瓷底座上，所述陶瓷底座包
32	CN201725787U	新型平板压接式双芯片封装陶瓷外壳	2011.01.26	本实用新型涉及一种新型平板压接式双芯片封装陶瓷外壳，所述外壳由陶瓷底座、过渡电极(7)和上盖三部分组
33	CN101916745A	新型平板压接式双芯片封装陶瓷外壳	2010.12.15	本发明涉及一种新型平板压接式双芯片封装陶瓷外壳，所述外壳由陶瓷底座、过渡电极(7)和上盖三部分组成；
34	CN101266952B	新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳	2010.11.17	本发明涉及一种新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳，适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装
35	CN101877332A	新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳	2010.11.03	本发明涉及一种新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳，包含有陶瓷底座和上盖；所述陶瓷底座包含有阴极法兰(1
36	CN101728335A	全压接快速散热型陶瓷外壳底座	2010.06.09	本发明涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳底座，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括大阳法兰(
37	CN101728336A	门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳	2010.06.09	本发明涉及一种门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳，包括阴极法兰(1)、瓷环(2)、阴极密封环(3)和阴极电
38	CN101399237B	全压接快速散热型陶瓷外壳	2010.06.02	本发明涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括底座和管盖，所
39	CN100530610C	新型一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳	2009.08.19	本发明涉及一种新型一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳，包括底座和管盖，底座包括阳极法兰(1)、瓷环(2)、
40	CN101399237A	全压接快速散热型陶瓷外壳	2009.04.01	本发明涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括底座和管盖，所
41	CN201191604Y	超薄型大电流陶瓷外壳	2009.02.04	本实用新型一种超薄型大电流陶瓷外壳，用作厚度要求8mm以下的低压大电流器件的封装外壳。包括盖和底座，
42	CN101308826A	新型一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳	2008.11.19	本发明涉及一种新型一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳，包括底座和管盖，底座包括阳极法兰(1)、瓷环(2)、
43	CN201146179Y	全压接快速散热型陶瓷外壳	2008.11.05	本实用新型涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括底座和管盖
44	CN201146180Y	一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳	2008.11.05	本实用新型涉及一种一体式水冷散热晶闸管陶瓷外壳，包括底座和管盖，底座包括阳极法兰（1）、瓷环（2）、
45	CN201142325Y	全压接快速散热型陶瓷外壳底座	2008.10.29	本实用新型涉及一种全压接快速散热型陶瓷外壳底座，适合用于间隙式工作的半导体器件的封装外壳。包括大阳法
46	CN201142324Y	门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳	2008.10.29	本实用新型涉及一种门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳，包括阴极法兰（1）、瓷环（2）、阴极密封环（3）和阴
47	CN201134424Y	全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳	2008.10.15	本实用新型涉及一种全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳，适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装
48	CN101266952A	新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳	2008.09.17	本发明涉及一种新型全压接式的大功率IGBT多模架陶瓷管壳，适合用做全压接式的大功率IGBT器件的封装
49	CN2824288Y	大功率集成门极换流晶闸管用精密外壳	2006.10.04	本实用新型涉及一种大功率集成门极换流晶闸管用精密外壳，属大功率半导体开关器件技术领域。它包括阳极裙边

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